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第二十六章:用心挖坑

坐下之后,金玉月先从公文包中拿出了两份协议递给韩鹏,一份是商业保密协议,一份是专利代理协议。

韩鹏大致浏览了一遍,是两份制式协议,已经盖好专利律师事务所的印章。

在和金玉月商定单个专利的代理费用之后,韩鹏和金玉月分别在两份协议上签了字。

由于申请专利,需要提供灵纹身份芯片编号。金玉月在看到灵纹身份芯片编号之后,惊讶的说:“杜先生,您竟然才十三周岁吗?真是一点都看不出来呀。幸好申请专利不管成年与否,否则您就要等到明年呢。”

“我确实还不到十四周岁。”金玉月在得到韩鹏的确认之后,明显的松了一口气。

“您确定要在半导体领域申请专利吗,这个领域的专业知识要求还是很高的。呃,我不是质疑您的能力,但是您最多应该刚从初等学府毕业吧。”金玉月又开始担心韩鹏是否具有相关技术背景。

“您要承认,这个世界是存在天才的。

金玉月拿出一张绘制有流程图的纸张,向韩鹏介绍了获得专利的过程:首先向联邦专利局提交专利申请,然后审查员会对专利申请的新颖性、创造性等问题进行审查,审查通过之后,就可以取得专利权,专利权的保护期限是三十年。

这大致与地球的专利制度类似,所以韩鹏理解起来没什么困难。接着,韩鹏大致向金玉月讲解了想要申请专利的技术,并提出了自己设想的保护策略。

在前世,贝尔实验室的施敏博士和江大原共同发明了浮栅场效应晶体管,浮栅场效应晶体管是闪存最基本的单元。

但是,经过韩鹏的多方查证,目前这个世界还没有发明浮栅场效应晶体管。

浮栅场效应晶体管的结构与普通场效应晶体管有很大区别。它有两个栅极,一个是选择栅,和普通栅极一样;另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连,这个栅极称为浮栅。

通常情况下,浮栅不带电荷,晶体管处于关断状态,其漏极电平为高,表示数据一。

当选择栅被施加较高的电压后,源极接地,漏极浮空,然后会产生大量高能电子,部分电子会通过隧穿氧化层,穿越二氧化硅的包围,到达浮栅。

当选择栅电压移除之后,由于浮栅没有放电回路,所以电子会留在浮栅;且漏极电平为低,即数据零被写入。

浮栅上的电子团即使在掉电的情况下,仍然会存留在浮栅上,所以信息能够长期保存。通常来说,这个时间可达十年。

韩鹏计划首先就浮栅场效应晶体管的结构申请一个专利。

“杜先生,您提出的场效应晶体管结构确实非常新颖。当然,这不是说专利法意义上的新颖性。”

“为了保险起见,我建议您可以就这个场效应晶体管结构的制作方法,也申请一个专利。”

“因为场效应晶体管结构的改进,必然会导致制造方法产生变化,比如增加了形成浮栅结构的步骤。所以其制造方法也是很有可能被授予专利权的。”

“根据专利法第十一条规定,使用其专利方法直接获得的产品,也是被保护的。这样就得到了第一重保险。”

“另外,建议您把场效应晶体管结构做一些简单微调,就结构和制造方法多申请几套专利,这样后续在专利授权和无效阶段,都会更加稳妥。这样就得到了第二重保险。”金玉月尽职的提出了自己的专业意见。

韩鹏觉得很有道理,也提出了受启发得出的新想法:

“那这样的话,我申请一个存在错误步骤的制作方法专利,而且为这个专利申请提前公开,为其他专利申请延迟公开。”

“竞争对手就会误以为我申请的专利是个废专利,起不到保护作用。但竞争对手可能想不到,我其实也申请了正确的专利。”

“如果竞争对手模仿制造的话,就掉进了大坑里。哈哈,我可真是个小天才。”

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金玉月稍微思考了一下,补充道:

“您这样做,坑人的意图太明显了。其实您不用故意写错误步骤,只要写一个可以有也可以没有的步骤就行。”

“因为对方会认为,这是专利律师的经验不足,在专利请求保护的范围中写入了可以规避掉的步骤。反而会更容易自作聪明的侵犯专利权。”

“而且,只提前公开一个专利的话,也可能会引起对方的警觉。建议您多申请几个类似的无用专利。”

“不愧是专业人士,真是太阴险了!不不,是高,确实高啊!”韩鹏对金玉月竖起了中指。在这个世界,因为通常人们中指最长,用中指代表最好、最强。

“不过,就这个技术,我本来只计划申请一个专利。被你这么一建议,起码得申请十个专利啊。你不是在为了赚代理费用,在忽悠我吧?”韩鹏调侃道。

金玉月赶忙解释:“不会的,不会的。我肯定是为了全力维护申请人的利益。就这个技术,除了第一件专利之外,其他几个专利的代理费用都一律给您打三折,毕竟只是修修改改。”

韩鹏知道,只有浮栅场效应晶体管是远远不够的。

在前世,直到浮栅场效应晶体管被发明近二十年后,才由东芝的舛冈富士雄博士以此为基础,提出了很多种闪存架构。其中最重要的两种架构是或非架构和与非架构。

因为这两种架构的闪存广泛应用在电脑、手机、存储卡、洗衣机、微波炉,甚至门禁卡、交通卡中,所以韩鹏对其基础部分还是有所了解的。

韩鹏计划仅就或非架构闪存和与非架构闪存布置专利,其他一些架构则选一些作

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